Samsung пообещала начать выпуск «настоящей» 14-нм DRAM этой осенью, в чем должна догнать и даже перегнать всех. Но пока что подтвердилось – Micron впереди.
Известная своими «вскрытиями» полупроводников компания TechInsights изучила новейший кристалл Z41C DRAM Micron, выпускаемый тайваньским производством компании. Эта память производится с использованием техпроцесса 1α (альфа) класса 10 нм. В Micron не раскрывают минимальные размеры элементов на кристалле, как и в Samsung, и в других компаниях. Согласно подсчётам TechInsights, битовая плотность чипа Z41C составляет 0,315 Гбит/мм2. Из этого сделан расчёт, который дал размер «half pitch» — половину шага между соседними токопроводящими дорожками, по которым сегодня определяют техпроцесс — равным 14,3 нм.
У компании Samsung самый передовой техпроцесс производства DRAM — это 1z nm. Этот техпроцесс позволяет выпускать память с плотностью 0,299 Гбит/мм2, что явно меньше, чем у Micron. Следовательно, минимальное расстояние между контактами на кристалле Samsung больше, чем у Micron. Собственно, Samsung это публично озвучила. Интересно то, что Micron на всех стадиях производства использует 193-нм сканеры, тогда как Samsung часть критически важных операций проводит с использованием 13,5-нм сканеров диапазона EUV.
Начать производство 14-нм DRAM компания Samsung обещает во второй половине этого года. Фактически она обойдёт Micron по технологическим нормам производства, но опережение на 0,3 нм выглядит очень и очень несерьёзно.
Источник: BusinessKorea
